佛山某半导体技术解决芯片制造技术厂，晶圆生产制作全过程中产生含硅、氟的特殊性污水，来设计解决占比1200吨/日。污水成分表繁琐，所含奈米级硅小粒及氢氧化钠，传统化解决做法不可符合标准。 废渣组成成分及的来源 基本污染源物 ：胶体溶液硅（100-500nm比表面积）、氟阴阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 起源加工过程 ：晶圆刻蚀电镀废水处理（45%）、CMP化学上的机戒磨光电镀废水处理（40%）、专用设备清洗道路水（15%） 外理的工艺步奏 去创新用"化学物质沉定+特种工艺膜离心分离"技术设备路经： 钙盐沉淀自己 ：污泥脱水氯化钙快速清理氟阳离子（添加CaF2发展） 斜管沉淀池不起作用 ：和好二沉池剂完成固体硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm粒径膜挤占微细顆粒 反参透系统化 ：脱盐率>98%，收旧率75% 化掉析出 ：浓水段实现目标氟化物临“0”排放出 以后视觉效果 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（不高于国家第一基准10mg/L） 硅含量的：<5mg/L 水影视资源循环率：70%适用于冷去塔皮肤补水 危废处理减药：蒸馏渣滓量较中国传统新工艺减低60%